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BDP 947 E6327产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-223两极晶体管 - BJT Silicn NPN TRANSISTR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Infineon Technologies BDP 947 E6327- |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bdp947_bdp949_bdp953.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156147b63b1f55 |
| 产品型号 | BDP 947 E6327 |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 200mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | BDP947E6327INCT |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz (Typ) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-4 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 3000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 系列 | BDP947 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 45 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 零件号别名 | BDP947E6327HTSA1 SP000010931 |
| 频率-跃迁 | 100MHz |